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Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B


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Información de productos
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
N.º art.:
     6Q9VB-IXXN110N65C4H1
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXXN110N65C4H1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistores
Transistor
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Tensión de retorno máx.: 650V
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 110A
Corriente de colector en impulso: 470A
Poder disipado: 750W
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
Tecnología: GenX3™;XPT™
Otros conceptos de búsqueda: módulo igbt
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