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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 108A; Idm: 340A; 625W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-LGE3M14120Q
Fabricante:
     LUGUANG ELECTRONIC
N.º fabricante:
     LGE3M14120Q
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC
Montaje: THT
Carcasa: TO247-4
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 108A
Resistencia en estado de transferencia: 18mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 625W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Propiedades de elementos semiconductores: derivación Kelvin
Carga de puerta: 230nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -4...18V
Corriente del drenaje en impulso: 340A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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