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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-LGE3M28065Q
Fabricante:
     LUGUANG ELECTRONIC
N.º fabricante:
     LGE3M28065Q
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC
Montaje: THT
Carcasa: TO247-4
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 67A
Resistencia en estado de transferencia: 39mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 326W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: derivación Kelvin
Carga de puerta: 163nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -4...18V
Corriente del drenaje en impulso: 211A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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