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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 43A; Idm: 145A; 327W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-LGE3M50120B
Fabricante:
     LUGUANG ELECTRONIC
N.º fabricante:
     LGE3M50120B
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 43A
Resistencia en estado de transferencia: 80mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 327W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 0,12µC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -5...20V
Corriente del drenaje en impulso: 145A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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