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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,1kV; 24A; Idm: 100A; 500W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
N.º art.:
     6Q9VB-MMIX1F40N110P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     MMIX1F40N110P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: SMPD
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: 1,1kV
Corriente del drenaje: 24A
Resistencia en estado de transferencia: 0,29Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 500W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 310nC
Tecnología: HiPerFET™;Polar™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 100A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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