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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-MMIX1X200N60B3
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     MMIX1X200N60B3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor SMD
Transistores SMD
Transistores
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: SMPD
Tensión colector-emisor: 600V
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 120A
Corriente de colector en impulso: 1kA
Tiempo de conexión: 140ns
Tiempo de desconexión: 395ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 625W
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 315nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: BiMOSFET™;GenX3™;XPT™
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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