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Transistor: IGBT x4; BiMOSFET™; 3kV; 22A; 150W; SMPD


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-MMIX4B22N300
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     MMIX4B22N300
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor SMD
Transistores SMD
Transistores
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: SMPD
Tensión colector-emisor: 3kV
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 22A
Corriente de colector en impulso: 165A
Tiempo de conexión: 743ns
Tiempo de desconexión: 1,87µs
Tipo de transistor: IGBT x4
Poder disipado: 150W
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: de alta tensión
Carga de puerta: 110nC
Tecnología: BiMOSFET™
Topología: puente H
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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