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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-MSC080SMA330B4
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     MSC080SMA330B4
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247-4
Tensión drenaje-fuente: 3,3kV
Corriente del drenaje: 26A
Resistencia en estado de transferencia: 0,105Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 381W
Polarización: unipolar
Propiedades de elementos semiconductores: derivación Kelvin
Carga de puerta: 55nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Corriente del drenaje en impulso: 100A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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