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IC: driver; medio puente IGBT,medio puente MOSFET; SO8; 10÷20VDC


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Información de productos
IC: driver; medio puente IGBT,medio puente MOSFET; SO8; 10÷20VDC
IC: driver; medio puente IGBT,medio puente MOSFET; SO8; 10÷20VDC
N.º art.:
     6Q9VB-NCP5109BDR2G
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NCP5109BDR2G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Temperatura de trabajo: -40...125°C
Carcasa: SO8
Tensión de alimentación: 10...20V DC
Corriente de salida: -500...250mA
Tipo de circuito integrado: driver
Tiempo de incremento del impulso: 160ns
Tiempo de reducción del impulso: 75ns
Clase de circuito integrado: high-side;low-side;controladores de puertas
Topología: medio puente IGBT;medio puente MOSFET
Clase de voltaje: 200V
Resumen de condiciones1
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