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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; Idm: 900A; 2,4W; DPAK


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-NTD5C434NT4G
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTD5C434NT4G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 23A
Resistencia en estado de transferencia: 1,7mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 2,4W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 80,6nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 900A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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