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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6,8A; Idm: -44A; 125W; TO220


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6,8A; Idm: -44A; 125W; TO220
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6,8A; Idm: -44A; 125W; TO220
N.º art.:
     6Q9VB-NTE2373
Fabricante:
     NTE Electronics
N.º fabricante:
     NTE2373
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
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Fabricante: NTE Electronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220
Tensión drenaje-fuente: -200V
Corriente del drenaje: -6,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 125W
Polarización: unipolar
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -44A
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