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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
N.º art.:
     6Q9VB-NTE2916
Fabricante:
     NTE Electronics
N.º fabricante:
     NTE2916
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
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Fabricante: NTE Electronics
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 200V
Corriente del drenaje: 35A
Resistencia en estado de transferencia: 40mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 300W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 200A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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