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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 64A; 180W; TO3P


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-NTE2922
Fabricante:
     NTE Electronics
N.º fabricante:
     NTE2922
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: NTE Electronics
Montaje: THT
Carcasa: TO3P
Tensión drenaje-fuente: 400V
Corriente del drenaje: 10A
Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 180W
Polarización: unipolar
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 64A
Resumen de condiciones1
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Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.