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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 408A; 255W


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
N.º art.:
     6Q9VB-NTH4L020N120SC1
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTH4L020N120SC1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: TO247-4
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 84A
Resistencia en estado de transferencia: 28mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 255W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Propiedades de elementos semiconductores: derivación Kelvin
Carga de puerta: 0,22µC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -15...25V
Corriente del drenaje en impulso: 408A
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Tipo
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