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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; Idm: 112A; 266W; TO247


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-NTH4L067N65S3H
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTH4L067N65S3H
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 25A
Resistencia en estado de transferencia: 55mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 266W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 80nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 112A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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