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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 73A; Idm: 412A; 267W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
N.º art.:
     6Q9VB-NTHL020N120SC1
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTHL020N120SC1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 73A
Resistencia en estado de transferencia: 28mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 267W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 66nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -15...25V
Corriente del drenaje en impulso: 412A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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