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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
N.º art.:
     6Q9VB-NTHL060N090SC1
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTHL060N090SC1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 900V
Corriente del drenaje: 32A
Resistencia en estado de transferencia: 60mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 110W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 87nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -10...20V
Corriente del drenaje en impulso: 184A
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