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Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
N.º art.:
     6Q9VB-P0R5B60HP2-5071
Fabricante:
     SHINDENGEN
N.º fabricante:
     P0R5B60HP2-5071
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: SHINDENGEN
Montaje: SMD
Carcasa: FB (TO252AA)
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 0,5A
Resistencia en estado de transferencia: 10Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 35W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 4,3nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: Hi-PotMOS2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 2A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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