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Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-P4F60HP2-5600
Fabricante:
     SHINDENGEN
N.º fabricante:
     P4F60HP2-5600
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: SHINDENGEN
Montaje: THT
Carcasa: FTO-220AG (SC91)
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 4A
Resistencia en estado de transferencia: 1,8Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 62,5W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: a granel
Precio unitario: No
Carga de puerta: 12,5nC
Tecnología: Hi-PotMOS2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 16A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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