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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3,1A; Idm: -12,4A; 1,25W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PJA3441-R1
Fabricante:
     PanJit Semiconductor
N.º fabricante:
     PJA3441_R1_00501
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: PanJit Semiconductor
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: -40V
Corriente del drenaje: -3,1A
Resistencia en estado de transferencia: 108mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1,25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 6nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -12,4A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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