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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PJMB210N65EC-R2
Fabricante:
     PanJit Semiconductor
N.º fabricante:
     PJMB210N65EC_R2_00601
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: PanJit Semiconductor
Montaje: SMD
Carcasa: TO263
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 19A
Resistencia en estado de transferencia: 0,21Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 150W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 34nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 42A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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