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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PJMF190N60E1-T0
Fabricante:
     PanJit Semiconductor
N.º fabricante:
     PJMF190N60E1_T0_00001
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: PanJit Semiconductor
Montaje: THT
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 20A
Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 38W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 40nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 60A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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