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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6,4A; Idm: -46A; 2W; SOT23-6


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PJS6403-S1
Fabricante:
     PanJit Semiconductor
N.º fabricante:
     PJS6403_S1_00001
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: PanJit Semiconductor
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23-6
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: -6,4A
Resistencia en estado de transferencia: 46mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 7,8nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -46A
Resumen de condiciones1
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