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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4,1/-3,1A; 1,25W


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PJS6601-S1
Fabricante:
     PanJit Semiconductor
N.º fabricante:
     PJS6601_S1_00001
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: PanJit Semiconductor
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23-6
Tensión drenaje-fuente: 20/-20V
Corriente del drenaje: 4,1/-3,1A
Resistencia en estado de transferencia: 95/190mΩ
Tipo de transistor: N/P-MOSFET
Poder disipado: 1,25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 4,6/5,4nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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