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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1,2A; 236mW


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PJT138K-AU-R1
Fabricante:
     PanJit Semiconductor
N.º fabricante:
     PJT138K-AU_R1_000A1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: PanJit Semiconductor
Montaje: SMD
Carcasa: SOT363
Tensión drenaje-fuente: 50V
Corriente del drenaje: 0,36A
Resistencia en estado de transferencia: 4,5Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 236mW
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 1nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 1,2A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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