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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2,6A; Idm: -10,4A; 3,1W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PJW3P10A-R2
Fabricante:
     PanJit Semiconductor
N.º fabricante:
     PJW3P10A_R2_00001
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: PanJit Semiconductor
Montaje: SMD
Carcasa: SOT223
Tensión drenaje-fuente: -100V
Corriente del drenaje: -2,6A
Resistencia en estado de transferencia: 0,23Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 3,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 20nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -10,4A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.