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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2,8A; Idm: -18A; 0,98W


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2,8A; Idm: -18A; 0,98W
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2,8A; Idm: -18A; 0,98W
N.º art.:
     6Q9VB-PMV30XPEAR
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PMV30XPEAR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23;TO236AB
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -2,8A
Resistencia en estado de transferencia: 57mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 0,98W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: ESD protected gate
Carga de puerta: 17nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: -18A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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