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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 60A; Idm: 339A; 238W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PSMN012-100YLX
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN012-100YLX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 60A
Resistencia en estado de transferencia: 33,1mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 238W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 118nC
Tecnología: Trench
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 339A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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