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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-PSMN013-30MLC.115
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN013-30MLC,115
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: LFPAK33;SOT1210
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 39A
Resistencia en estado de transferencia: 11,8mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 38W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 8nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 157A
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Accesorios
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Accesorios
Driver de puerta MOSFET IR2113SPBF, 2,5 A SOIC W 16 pines
Infineon
IR2113SPBF
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