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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
N.º art.:
     6Q9VB-PSMN057-200P.127
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN057-200P,127
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB;SOT78
Tensión drenaje-fuente: 200V
Corriente del drenaje: 39A
Resistencia en estado de transferencia: 41mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 250W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 96nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 156A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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