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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 216A; Idm: 1226A


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-PSMN1R0-25YLDX
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN1R0-25YLDX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensión drenaje-fuente: 25V
Corriente del drenaje: 216A
Resistencia en estado de transferencia: 2,43mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 160W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 71,8nC
Tecnología: NextPowerS3
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 1226A
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