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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 790A; 109W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-PSMN1R5-30YL.115
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN1R5-30YL,115
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 100A
Resistencia en estado de transferencia: 1,8mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 109W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 77,9nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 790A
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