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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1135A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PSMN2R0-60PSRQ
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN2R0-60PSRQ
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB;SOT78
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 120A
Resistencia en estado de transferencia: 5,1mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 338W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
Carga de puerta: 192nC
Tecnología: NextPowerS3
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 1135A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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