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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; Idm: 263A; 47W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PSMN6R0-30YLDX
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN6R0-30YLDX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 66A
Resistencia en estado de transferencia: 6,7mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 47W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 6,5nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 263A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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