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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 47A; Idm: 264A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PSMN6R4-30MLDX
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN6R4-30MLDX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: LFPAK33;SOT1210
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 47A
Resistencia en estado de transferencia: 13,7mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 51W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 19nC
Tecnología: NextPowerS3
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 264A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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