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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 88A; Idm: 360A; 238W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PSMN6R9-100YSFX
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN6R9-100YSFX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 88A
Resistencia en estado de transferencia: 15,4mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 238W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 50,3nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 360A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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