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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 1,25W; TSMT6


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-QS6K1FRATR
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     QS6K1FRATR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: TSMT6
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 1A
Resistencia en estado de transferencia: 364mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Poder disipado: 1,25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 1,7nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: 4A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, transistor smd
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