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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1,7A; Idm: 4A; 26W; TO252


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-R6002END3TL1
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6002END3TL1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: TO252
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 1,7A
Resistencia en estado de transferencia: 6Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 26W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 6,5nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 4A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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