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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-R6007ENJTL
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6007ENJTL
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 7A
Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 78W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 20nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 14A
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