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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-R6030JNZ4C13
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6030JNZ4C13
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 30A
Resistencia en estado de transferencia: 143mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 370W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 74nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 90A
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