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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-R6509KNXC7G
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6509KNXC7G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO220FP
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 9A
Resistencia en estado de transferencia: 1,1Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 48W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 16,5nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 27A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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