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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 32A; 14W; HSMT8


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-RQ3E080GNTB
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RQ3E080GNTB
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: HSMT8
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 18A
Resistencia en estado de transferencia: 31,2mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 14W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 5,8nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 32A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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