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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-RQ3E120ATTB
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RQ3E120ATTB
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: HSMT8
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: -39A
Resistencia en estado de transferencia: 11,3mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 20W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 62nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -48A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.