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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-RQ3G150GNTB
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RQ3G150GNTB
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: HSMT8
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 39A
Resistencia en estado de transferencia: 8,9mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 20W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 24,1nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 60A
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