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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-RS1E280BNTB
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RS1E280BNTB
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: HSOP8
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 80A
Resistencia en estado de transferencia: 3,2mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 30W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 94nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 112A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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