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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0,4A; 200mW


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-RSU002P03T106
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RSU002P03T106
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: UMT3
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: -0,2A
Resistencia en estado de transferencia: 2,4Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 0,2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -400mA
Resumen de condiciones1
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a partir de € 0,36*
  
Precio válido a partir de 2.500.000 envases
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a partir de 500 envases
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a partir de 600 envases
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a partir de 2500000 envases
€ 0,36*
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por envase
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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