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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 16A; 1W; TSMT3


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-RTR040N03HZGTL
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RTR040N03HZGTL
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: TSMT3
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 4A
Resistencia en estado de transferencia: 66mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 5,9nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: 16A
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