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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0,8A; 150mW


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-RU1C002ZPTCL
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RU1C002ZPTCL
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: SOT323F
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -0,2A
Resistencia en estado de transferencia: 9,6Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 0,15W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 1,4nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±10V
Corriente del drenaje en impulso: -0,8A
Resumen de condiciones1
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€ 0,0384*
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.