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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SCT3030ALGC11
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     SCT3030ALGC11
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 70A
Resistencia en estado de transferencia: 39mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 262W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 104nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -4...22V
Corriente del drenaje en impulso: 175A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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€ 26,47*
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