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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SI1013CX-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI1013CX-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SC89
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -450mA
Resistencia en estado de transferencia: 1,5Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 0,19W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 2,5nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -1,5A
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